基于高能 synchrotron X射线衍射的In_xGa_(1-x)As半导体合金局部结构研究
无序系统与神经网络
2009-10-31 v1
摘要
从高分辨率原子序分布函数（PDF）中获得了In_xGa_(1-x)As（0<x<1）半导体合金中最近邻及更远邻居距离以及键长分布（静力学与热力学）。利用这些结构信息，我们对In_xGa_(1-x)As合金中的局部原子位移进行了建模。基于Kirkwood势的超胞模型，我们获得了As和(In,Ga） ensemble 平均概率分布的3维空间分布。这清晰地表明As原子位移是高度各向异的，可表示为<100>和<111>位移的组合。考察Kirkwood模型时，发现(As)亚晶格上静力学无序的标准差（sigma）约为(In,Ga)亚晶格上值的60%，而(In,Ga)原子位移显著比As亚晶格更各向同性。从Kirkwood模型计算得到的单晶漫散射显示，原子位移在<110>方向上关联性最强。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008079,
title = {Local structure study of In_xGa_(1-x)As semiconductor alloys using High Energy Synchrotron X-ray Diffraction},
author = {I. -K. Jeong and F. Mohiuddin-Jacobs and V. Petkov and S. J. L. Billinge and S. Kycia},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008079},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 12 figures