利用虚拟扫描隧道显微镜对高迁移率二维电子系统进行局部成像
介观与纳米尺度物理
2014-11-11 v1
摘要
理论预测，高迁移率二维电子系统（2DESs）中的关联电子态（包括电荷密度波以及介于费米液体和维格纳晶体之间的微乳液相）会表现出复杂的局部电荷有序。然而，现有的实验研究主要在微米至毫米尺度上探测这些系统，而非直接绘制其空间组织。扫描探针本应非常适合研究这些态的空间结构，但高迁移率 2DESs 位于埋藏的半导体界面处，超出了传统扫描隧道显微镜的探测范围。基于与 2DES 静电耦合的扫描技术能提供重要见解，但其分辨率通常受限于 2DES 的埋藏深度。在本文中，我们介绍了开发一种称为“虚拟扫描隧道显微镜”技术的进展，该技术允许对高迁移率 2DES 进行局部隧穿。通过使用 specially-designed 双层 GaAs/AlGaAs 异质结（其中两个独立 2DES 之间的隧穿耦合可通过静电栅极调节），并结合扫描栅极，我们展示了局部隧穿可实现低于 200 nm 的分辨率。
引用
@article{arxiv.1409.0576,
title = {Local imaging of high mobility two-dimensional electron systems with virtual scanning tunneling microscopy},
author = {Matthew Pelliccione and John Bartel and Adam Sciambi and Loren Pfeiffer and Ken West and David Goldhaber-Gordon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.0576},
year = {2014}
}
备注
12 pages, 4 figures