ZnO 中氧空位诱导的高密度二维电子系统
材料科学
2018-05-23 v1
摘要
我们在超高真空中通过于 ZnO 表面简单沉积纯铝实现了 ZnO 中的二维电子系统（2DES），并利用角分辨光电子能谱表征了其电子结构。铝氧化为氧化铝，产生氧空位，这些氧空位对 ZnO 的体传导带进行掺杂并将电子限制在其表面附近。该 2DES 的电子密度比 ZnO 异质结构中获得的高出多达两个数量级。该 2DES 显示出两个 型子带，我们将其与钛酸盐中的 类 2DES 进行比较，并具有清晰的多体相互作用特征，我们通过自洽提取系统自能和将二维费米液体与德拜声子分布耦合的建模来分析这些特征。
引用
@article{arxiv.1802.06907,
title = {High-density two-dimensional electron system induced by oxygen vacancies in ZnO},
author = {T. C. Rödel and J. Dai and F. Fortuna and E. Frantzeskakis and P. Le Fèvre and F. Bertran and M. Kobayashi and R. Yukawa and T. Mitsuhashi and M. Kitamura and K. Horiba and H. Kumigashira and A. F. Santander-Syro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.06907},
year = {2018}
}
备注
Article + Supplementary Material, 12 pages, 3 main figures, 6 supplementary figures