来自埋藏高迁移率电子体系的硬 X 射线角分辨光电子能谱
强关联电子
2022-10-05 v2
摘要
过渡金属氧化物界面与表面上的新型二维电子体系近来备受关注，因其展现出可在未来电子器件中利用的可调且引人入胜的特性。本文中我们展示，通过脉冲激光沉积非晶 LaAlO 薄膜，可在 KTaO (001) 晶体表面诱导出具有强自旋轨道耦合的高迁移率准二维电子体系。该埋藏电子体系的动量分辨电子结构由硬 X 射线角分辨光电子能谱绘出。通过与计算比较发现，由于受限至界面，其能带结构偏离电子掺杂的块体 KTaO。尽管如此，费米面仍明显呈三维。由费米面的 展宽与芯能级深度剖析，我们分别估算该电子体系的延展至少 1 nm 但不远大于 2 nm。
引用
@article{arxiv.2110.15158,
title = {Hard x-ray angle-resolved photoemission from a buried high-mobility electron system},
author = {Michael Zapf and Matthias Schmitt and Judith Gabel and Philipp Scheiderer and Martin Stübinger and Berengar Leikert and Giorgio Sangiovanni and Lenart Dudy and Sergii Chernov and Sergey Babenkov and Dmitry Vasilyev and Olena Fedchenko and Katerina Medjanik and Yury Matveyev and Andrei Gloskowski and Christoph Schlueter and Tien-Lin Lee and Hans-Joachim Elmers and Gerd Schönhense and Michael Sing and Ralph Claessen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.15158},
year = {2022}
}
备注
13 pages, 7 figures