在 $\mathrm{SrTiO_3}$ 中构筑表面氧空位以形成高迁移率透明准二维电子系统
介观与纳米尺度物理
2022-07-27 v1 材料科学
强关联电子
摘要
准二维电子系统（q-2DES）形成于多种异质结构中，包括氧化物界面。已知 等氧化物中的氧空位（OVs）会产生电子载流子。本文展示了一种利用低能 等离子体在表面制备 的新方法。其 resulting 的 q-2DES 迁移率高达 ，并在磁电阻中呈现量子振荡。我们通过调节工艺压强可实现更锐利或更弱的限域势。限域更锐利的系统显示出更清晰的量子振荡与类 Kondo 的电阻温度依赖。靠近表面的 OVs 表现为关联 Anderson 杂质，是 Kondo 行为的成因。弱限域系统中的量子振荡较不显著。观察到随温度由弱局域化到反局域化的交叉，但无 Kondo 行为。该工艺还得到一种适于光刻图案化的透明导体。该导体在可见光区的标准优值可与多晶 ITO 薄膜相比，并以相似性能延伸至 通信波长。
引用
@article{arxiv.2207.12933,
title = {Engineering Surface Oxygen Vacancies in $\mathrm{SrTiO_3}$ to Form a High Mobility and Transparent Quasi Two dimensional Electron System},
author = {Shyam Sundar Yadav and Shelender Kumar and Pankaj Kumar and Ananth Venkatesan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.12933},
year = {2022}
}