无序二维电子体中局部密度态的实测与计算比较
无序系统与神经网络
2009-11-07 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过低温扫描隧道光谱研究了诱导在n-InAs(110)表面的二维电子体系(2DES)的局部密度态(LDOS)。与类似的三维电子体系(3DES)不同，2DES的LDOS呈现约20倍的更大波动及较为不规则的结构。将两种结果解释为弱局域化的 consequence。LDOS的傅里叶变换显示，未扰动2DES的k值仍占主导，但额外的较小k值也有显著贡献。为阐明LDOS图样的起源，我们测量了同一2DES区域的势能轮廓，利用单粒子薛定谔方程计算预期的LDOS，并与实测结果进行直接比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0209094,
title = {Comparing measured and calculated local density of states in a disordered two-dimensional electron system},
author = {M. Morgenstern and J. Klijn and Chr. Meyer and R. A. Roemer and R. Wiesendanger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0209094},
year = {2009}
}
备注
to be published in the Proceedings (Physica B/C/E) of the 23rd International Conference on Low Temperature Physics