无序二维电子体中势场与局部态密度的直接比较
介观与纳米尺度物理
2016-08-31 v1
摘要
我们通过低温扫描隧道光谱研究 n-InAs(110) 表面诱导的二维电子体 (2DES) 的局部态密度 (LDOS)。LDOS 显示不规则结构，波动长度随能量升高而减小。傅里叶变换显示，未扰动 2DES 的 k 值主导 LDOS，但还有额外的较小 k 值显著贡献。为阐明额外 k 空间强度的来源，我们使用电子笔诱导的量子点帮助测量同一 2DES 区域的势场。这允许我们从单粒子 Schrodinger 方程计算预期的 LDOS，并与测量值直接进行比较。我们发现计算值与测量值之间存在合理的对应关系。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0202239,
title = {Direct comparison between potential landscape and local density of states in a disordered two-dimensional electron system},
author = {M. Morgenstern and J. Klijn and Chr. Meyer and M. Getzlaff and R. Adelung and R. A. Roemer and K. Rossnagel and L. Kipp and M. Skibowski and R. Wiesendanger},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0202239},
year = {2016}
}
备注
7 pages, 4 figures, submitted to PRL