碳纳米管的局部栅极控制
介观与纳米尺度物理
2015-06-24 v1 材料科学
摘要
报告了置于化学气相沉积（CVD）生长的碳纳米管下方的多个电静势栅极的局部效应。通过 CVD 从 Fe 催化岛成长的单壁碳纳米管横跨薄 Mo "指纹栅极"（150 x 10nm）。在管生长前，多个指纹栅极经过光刻致刻并随后使用低温原子层沉积涂覆了图案化的高介电常数材料。传输测量表明，局部指纹栅极与全局背栅极具有不同的效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0308477,
title = {Local gating of carbon nanotubes},
author = {M. J. Biercuk and N. Mason and C. M. Marcus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0308477},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures