在扫描隧道显微镜碳纳米管器件中集成栅电极
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
我们开发了一种将栅电极集成到悬浮单壁碳纳米管结构中的制备工艺，用于扫描隧道谱研究。纳米管通过化学气相沉积直接在金属表面上合成。生长过程中涉及的高温（约 800 °C）带来了表面粗糙度和结构完整性等具有挑战性的问题，本文对此进行了探讨。我们通过对悬浮纳米管部分进行隧道谱测量并观察到库仑阻塞菱形，证明了栅电极的有效性。我们的方法实现了对碳纳米管的扫描隧道显微镜与栅控电子输运联合研究。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0502501,
title = {Integration of a gate electrode into carbon nanotube devices for scanning tunneling microscopy},
author = {J. Kong and B. J. LeRoy and S. G. Lemay and C. Dekker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0502501},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures, to appear in Applied Physics Letters