穿过高Q值单壁碳纳米管NEMS谐振器的单电子隧穿
介观与纳米尺度物理
2011-10-26 v2
摘要
通过首先光刻制备接触电极，然后作为最后一步在预制芯片上利用化学气相沉积生长碳纳米管，可以避免纳米管器件的许多潜在污染机制。将此与芯片上预定义的沟槽相结合，使得纳米管在基底上方自由悬浮，从而能够形成高度规则的电子系统。我们表明，此外，这种悬浮的超净纳米管提供了优异的高频和低耗散机械谐振器。我们讨论了本实验的运动检测机制，并测量了Coulomb blockade效应以及单电子隧穿对机械运动的反作用。此外，还给出了关于机械高阶模的数据。
引用
@article{arxiv.1004.5362,
title = {Single electron tunneling through high-Q single-wall carbon nanotube NEMS resonators},
author = {A. K. Huettel and H. B. Meerwaldt and G. A. Steele and M. Poot and B. Witkamp and L. P. Kouwenhoven and H. S. J. van der Zant},
journal= {arXiv preprint arXiv:1004.5362},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 6 figures