采用化学气相沉积法部分填充 Fe 的 MWCNT 的生长温度依赖性
材料科学
2019-08-07 v1
摘要
本研究探讨生长温度对填充 Fe 的多壁碳纳米管（MWCNTs）生长行为的影响。碳纳米管（CNT）合成在热化学气相沉积（CVD）反应器中进行，温度范围为 650 至 950 °C，使用丙烷作为碳源、Fe 作为催化剂材料、Si 作为催化剂载体。对催化剂的原子力显微镜（AFM）分析表明，在升高温度下催化剂团簇合并形成宏观岛状结构。场发射扫描电子显微镜（FESEM）结果显示，随着生长温度升高，纳米管平均直径增大但密度降低。高分辨透射电子显微镜（HRTEM）研究表明，所有生长温度下纳米管均具有多壁结构并部分填充 Fe。生长材料的 X 射线衍射（XRD）图谱表明其具有石墨性质。拉曼光谱对纳米管的表征揭示，就质量而言，填充 Fe 的 CNT 的最佳生长温度为 850 °C。提出了填充 Fe 碳纳米管生长的一个简单模型。
引用
@article{arxiv.1908.02184,
title = {Growth temperature dependence of partially Fe filled MWCNT using chemical vapor deposition},
author = {Joydip Sengupta and Chacko Jacob},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.02184},
year = {2019}
}
备注
A1. Nanostructure A1. Growth model A1. Characterization A3. Chemical vapor deposition process B1. Carbon nanotube B1. Iron