纳米级 VLSI 中的光刻热点检测与缓解
硬件体系结构
2014-02-14 v1
摘要
随着特征尺寸的不断缩小，即使是最先进的半导体制造工艺也经常会遇到可打印性差和良率低的版图。在物理验证和早期物理设计阶段，识别光刻热点至关重要。虽然详细的光刻模拟非常精确，但对于全芯片规模和物理设计内循环而言，其计算成本可能过高。与此同时，基于模式匹配和机器学习的热点检测方法能够为全芯片规模的物理验证和设计提供可接受的质量以及快速的周转时间。本文讨论了纳米级 VLSI 中光刻热点检测与缓解的一些关键问题和最新成果。
引用
@article{arxiv.1402.3150,
title = {Lithography Hotspot Detection and Mitigation in Nanometer VLSI},
author = {Jhih-Rong Gao and Bei Yu and David Z. Pan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.3150},
year = {2014}
}
备注
ASICON 2013