MnBi$_2$Te$_4$玻璃态绝缘体的线性响应：基于Wannier函数的方法
介观与纳米尺度物理
2026-03-13 v1
摘要
最近的工作表明，在长波长极限下，Chern绝缘体对有限频率电场的线性响应由两项组成：与能带拓扑结构无关的普遍频率依赖Kubo贡献，以及在拓扑平凡绝缘体中消失的拓扑Hall项。我们受最新实验和理论预测启发，使用这些表达式计算 intrinsically磁性MnBiTe薄膜（单层、四层、五层和十一层）的光导率和易感性，将密度泛函理论与“单次”Wannier函数相结合。为刻画这些系统的底层拓扑结构，我们计算这些薄膜的二维Chern数，利用最近推导的以Bloch能量和速度矩阵元为基础的全局表达式；这些表达式允许我们规避能带交叉处的数值问题。我们发现，十一层薄膜的Chern数与五层薄膜相同，与其他研究中报告的“更高Chern数相位”相矛盾；我们讨论了导致此差异的几个可能原因。我们还识别出由自旋轨道耦合引起的能带翻转作为这些拓扑相位的可能指示器。
引用
@article{arxiv.2603.11268,
title = {Linear response of the Chern insulator MnBi$_2$Te$_4$: A Wannier function approach},
author = {Matthew Albert and Javier Sivianes and Jason G. Kattan and Julen Ibañez-Azpiroz and J. E. Sipe},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.11268},
year = {2026}
}
备注
11 pages, 5 figures