MgO/Ag(001) 埋藏界面处 Mg 原子掺入的层分辨研究
材料科学
2015-06-16 v1
摘要
通过结合 X 射线激发俄歇电子衍射实验和多重散射计算，我们揭示了 Ag(001) 上 MgO 超薄薄膜 (4-6 \AA) 中 Mg KL23L23 俄歇跃迁的层分辨位移。利用这一分辨率，我们证明了通过使 MgO 薄膜暴露于 Mg 束流来控制 MgO/Ag(001) 界面处 Mg 原子掺入的可能性。在暴露阶段观察到 MgO/Ag(001) 功函数的显著降低，这反映了界面处的能带偏移变化以及氧化薄膜中的能带弯曲效应。
引用
@article{arxiv.1306.6158,
title = {Layer-resolved study of Mg atom incorporation at MgO/Ag(001) buried interface},
author = {T. Jaouen and S. Tricot and G. Delhaye and B. Lépine and D. Sébilleau and G. Jézéquel and P. Schieffer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1306.6158},
year = {2015}
}
备注
Accepted in Physical Review Letters