激光诱导的硅碳中洞CONSISTENT V2 中心的创建

固态自旋缺陷是量子网络节点方面的有前景的qubit。实现更大规模网络的一个关键挑战是在保持良好光学和自旋属性的同时，将缺陷以高产率引入纳米光子器件中。本文我们演示了利用脉冲上带隙（紫外）激光在来自商业bulk-grown 4H-硅碳的纳米柱中创建 V2 中心。我们观察到紫外激光照射后 V2 中心发生率增加了十一倍。这些激光诱导的 V2 中心表现出窄的光学线宽和与相同材料中天然 V2 中心相当的光谱扩散速率。此外，我们测量了在dynamical decoupling下的自旋相干时间$T_{2}^{\mathrm{DD}} = 3.6 \pm 0.3~\text{ms}$，这与核自旋浴导致的去相干相符。这一演示表明，在广泛可获得的bulk-grown 4H-SiC中，通过原位、后加工方式在纳米结构中生成一致的 V2 中心，显示了上带隙激光照射可用于集成光子器件中可扩展的缺陷创建具有潜力。