通过 CVD 外延生长增强浅注入 NV 色心的自旋特性
材料科学
2012-08-22 v1
摘要
基于金刚石缺陷中心的量子寄存器的可控扩展依赖于以高空间分辨率定位 NV 色心的能力。利用离子注入技术，可以将浅层（< 10 nm）NV 色心以低于 20 nm 的精度放置，但其自旋特性通常低于体材料 NV 色心。我们展示了一种利用外延生长技术增强浅注入 NV 色心自旋特性的方法。相干时间增加了一个数量级（）。通过缺陷自旋的动态解耦，实现了毫秒级的退相干时间。该研究标志着向实现纳米级精确定位缺陷间的强耦合迈出了进一步。
引用
@article{arxiv.1208.4216,
title = {Augmenting the spin properties of shallow implanted NV-centers by CVD-overgrowth},
author = {Tobias Staudacher and Florestan Ziem and Lutz Häussler and Rainer Stöhr and Steffen Steinert and Friedemann Reinhard and Jochen Scharpf and Andrej Denisenko and Jörg Wrachtrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.4216},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 3 Figures