利用氮δ掺杂工程化金刚石中的浅层自旋
材料科学
2012-08-27 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
我们展示了在等离子体增强化学气相沉积过程中，利用原位氮δ掺杂技术，在合成金刚石表面附近以纳米级精度控制氮 - 空位（NV）色心的生成。尽管掺杂的 NV 色心靠近表面，其深度（d）范围在 5 - 100 nm 之间，但仍表现出长的自旋相干时间，在 d = 5 nm 时 T2 > 100 \mus，在 d \geq 50 nm 时 T2 > 600 \mus。在此类浅层 NV 色心中观察到的持续较长的自旋相干性，使得原子尺度外部自旋传感和混合量子架构等应用成为可能。
引用
@article{arxiv.1207.2784,
title = {Engineering shallow spins in diamond with nitrogen delta-doping},
author = {Kenichi Ohno and F. Joseph Heremans and Lee C. Bassett and Bryan A. Myers and David M. Toyli and Ania C. Bleszynski Jayich and Christopher J. Palmstrom and David D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.2784},
year = {2012}
}
备注
14 pages, 4 figures, 11 pages of additional supplementary material