金刚石中精确深度控制的NV中心相干时间
量子物理
2016-03-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过空气中580{\deg}C的中度氧化进行精确深度控制，研究了氮空位（NV）中心相干时间的深度依赖性。通过连续的纳米级刻蚀，NV中心可被逐步带近金刚石表面，这使我们能够追踪芯片中剩余NV中心数量的演化，并研究NV中心相干时间随金刚石刻蚀的深度依赖性。我们的结果表明，NV中心的相干时间在其最终消失前最后约22 nm随深度减少而迅速下降，揭示了快速涨落表面自旋浴影响的临界深度。通过监测相干时间随深度的变化，我们可以制备具有长相干时间的浅NV中心，用于高灵敏度检测外部自旋。
引用
@article{arxiv.1507.06207,
title = {Coherence times of precisely depth controlled NV centers in diamond},
author = {Junfeng Wang and Wenlong Zhang and Jian Zhang and Jie You and Yan Li and Guoping Guo and Fupan Feng and Xuerui Song and Liren Lou and Wei Zhu and Guanzhong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06207},
year = {2016}
}