大组分范围纯相均匀 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线

窄带隙 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线在宽光谱红外探测器、高性能晶体管和量子计算方面展现出广阔的应用前景。实现此类应用需要对纳米线的组分和晶体结构进行精细控制。然而，迄今为止，大组分范围纯相均匀 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线的制备仍是一项巨大挑战。在此，我们首次报道了通过分子束外延在 Si (111) 衬底上生长大组分范围无茎 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线（x = 0–0.63）。研究发现，通过控制锑含量 x、纳米线直径和纳米线生长方向，可成功获得纯相 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线。详细的 EDS 数据显示锑沿 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线的轴向和径向均匀分布，且纳米线中未形成自发的核壳纳米结构。基于场效应测量，我们确认 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线表现出良好的导电性，其在 7 K 下的迁移率可达 4200 cm^2/V.s。我们的工作为 InAs$_{1-x}$Sb$_x$ 纳米线光电子、电子和量子器件的发展奠定了基础。