GaAs二维空穴系统中的朗道能级自旋二极管
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1
摘要
我们制造并表征了GaAs二维空穴系统中的朗道能级自旋二极管。我们利用空穴朗道能级自旋二极管探测空穴与核自旋之间的超精细耦合，未发现可检测的净核极化，表明与GaAs电子系统相比，空穴-核自旋翻转过程被抑制了至少三个数量级。
引用
@article{arxiv.1406.3883,
title = {Landau level spin diode in a GaAs two dimensional hole system},
author = {O. Klochan and A. R. Hamilton and K. das Gupta and F. Sfigakis and H. E. Beere and D. A. Ritchie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3883},
year = {2015}
}