利用动态核极化研究朗道能级填充因子ν=3附近的埃廷斯豪森效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v5
摘要
在GaAs/AlGaAs二维电子系统中，研究了朗道能级填充因子 附近垂直于电流的自旋电流。在特殊设计的霍尔棒样品边缘附近进行的动态核极化测量表明，自旋电流相对于霍尔电场的方向在 处发生极性反转，此时自旋向上朗道能级中的空穴所携带的耗散电流被自旋向下朗道能级中的电子所携带的耗散电流所取代。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0703325,
title = {Ettingshausen Effect around Landau Level Filling Factor nu=3 Studied by Dynamic Nuclear Polarization},
author = {Yosuke Komori and Satoru Sakuma and Tohru Okamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0703325},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 5 figures