朗道能级填充因子一处的无序增强核自旋弛豫
介观与纳米尺度物理
2015-06-01 v2
摘要
采用全电学技术扰动和探测核自旋，测量了量子霍尔区 GaAs 二维电子系统的核自旋弛豫率(1/)。在 1/ 对 的曲线中，于朗道能级填充因子 附近观察到“倾斜平台”特征。平台的宽度和幅度均随电子密度降低而增大。在低温下，1/ 在倾斜平台区间内呈现阿伦尼乌斯温度依赖关系。提取的能量间隙比相应的电荷输运间隙小至多两个数量级。这些结果指向一种无序增强核自旋弛豫的非平凡机制，其中微观不均匀性对与 skyrmion 相关的低能自旋激发起关键作用。
引用
@article{arxiv.1504.01980,
title = {Disorder Enhanced Nuclear Spin Relaxation at Landau Level Filling Factor One},
author = {Tong Guan and Benedikt Friess and Yongqing Li and Shishen Yan and Vladimir Umansky and Klaus von Klitzing and Jurgen H. Smet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.01980},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 4 figures