近晶体的堵塞临界性

我们报告了在等静压堵塞点处，最小多分散晶体（二维为六方晶格，三维为面心立方晶格）的临界性质。力分布和间隙分布在较小值处呈现幂律尾部。振动态密度（VDOS）是平坦的。扩展软模的力和 VDOS 的标度行为是普适的，并与无限维平均场理论以及低至二维的最大非晶堆积一致。近晶体的局域软模的间隙和力分布似乎是非普适的。一小部分简正模在低频处表现出部分局域化。大多数简正模是退局域化的，表现出特征性的逆参与比随频率的标度关系。堵塞处的堆积分数和有序度分别随多分散性线性衰减和二次衰减，直至最大非晶态。