应变拉钙镍氧化物薄膜上的 Jahn-Teller 扭曲

我们系统研究了应变 La$_3$Ni$_2$O$_7$ 薄膜的电子结构。我们表明，双轴压缩应变主要拉伸了外侧 apical Ni-O 键，而内侧 apical Ni-O 键几乎不变。结果是，Jahn-Teller 分裂 $\Delta_{JT}$ 显著增强，而垂直于层面的 $d_{z^2}$ 隧穿 $t_\perp^z$ 仅发生轻微变化。由于超导性广泛认为仅在平面晶格常数达到临界值以下才能出现，我们的结果识别了应变增强的 $\Delta_{JT}$ 作为相关的微观调谐参数。一致地，针对 LaAlO$_3$ 和 SrLaAlO$_4$ 衬底的 Fermi 面和霍尔响应计算与 ARPES 和霍尔测量结果一致。我们的结果确认 Jahn-Teller 扭曲是应变 La$_3$Ni$_2$O$_7$ 中的关键调谐参数，并支持其在双层镍酸盐中优化超导性的核心作用。