压缩应变薄膜 La$_2$PrNi$_2$O$_7$ 的电子结构
超导电性
2025-04-25 v2 材料科学
摘要
高压下 bulk 镍酸盐超导性的发现是物理学中的重大进展。最近在压缩应变 bilayer 镍酸盐薄膜中观察到 ambient pressure 超导性,使我们能够通过角分辨光谱 (ARPES) 直接表征超导相。本文报告了通过氧化物分子束真空沉积生长的压缩应变 LaPrNiO 薄膜及其经臭氧处理的薄膜,其超导临界温度 为 40 K,补充了由脉冲激光沉积制成的类似 的薄膜结果。我们系统性地解析了压缩应变导致的电子能带相对于 bulk 晶体的位移,这与密度泛函理论 (DFT) 计算的结果一致。然而,强重整化的平坦 3d 能带位移的幅度比 DFT 计算预期小 5-10 倍。此外,该能带仍位于费米能级以下约 70 meV,与超导性源于该能带在费米能级处的高态密度的预期相矛盾。我们还观察到类似氧化锂的 3d 能带具有非平凡的 色散。结合 X 射线衍射和 DFT 结果,我们认为这些应变薄膜受约 5 GPa 的有效压力支配,这远大于 DFT 松弛结构的直观预期。最后,约 70 meV 的能级位置与薄膜中更显著地看到的集体模耦合密切相关,这涉及氧原子相关声子和自旋激发谱最大值的能量范围。
引用
@article{arxiv.2504.16372,
title = {Electronic structure of compressively strained thin film La$_2$PrNi$_2$O$_7$},
author = {Bai Yang Wang and Yong Zhong and Sebastien Abadi and Yidi Liu and Yijun Yu and Xiaoliang Zhang and Yi-Ming Wu and Ruohan Wang and Jiarui Li and Yaoju Tarn and Eun Kyo Ko and Vivek Thampy and Makoto Hashimoto and Donghui Lu and Young S. Lee and Thomas P. Devereaux and Chunjing Jia and Harold Y. Hwang and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.16372},
year = {2025}
}