统一应变驱动与压力驱动的超导性：抑制电荷/自旋密度波及增强层间耦合

最近在应变稳定化的 La$_3$Ni$_2$O$_{7}$ 薄膜中实现了室压下的超导性，这为镍酸盐研究开辟了新途径，与其压力诱导的对应物并行。我们利用密度泛函理论计算，阐明了在结构、电子、磁性和密度波特性分析的基础上，关键在于桥接 La$_3$Ni$_2$O$_{7}$ 中应变驱动与压力驱动超导性的关键因素。与最近的扫描透射电子显微镜观察一致，我们发现在 -0.9\% 应变下发生 $I4/mmm$ 结构相变， precedes 超导性发生。电子分析表明，压缩应变降低了 Ni-$d_{z^2}$ 轨道的能级，而界面 Sr 扩散有效重构了 $d_{z^2}$ 轨道，定量匹配角谱光子能谱实验。应力或压力下的层间反亚磁耦合 $J_\perp$ 与实验超导 $T_c$ 变化 closely tracks。压力依赖性的穹顶形状和应变依赖性的单调变化 $J_\perp$ 主要源于上端氧 $p_z$ 能级的调制。此外，压缩应变抑制了电荷密度波 (CDW) 和自旋密度波 (SDW) 不稳定性，类似于压力效应，其中 SDW 在结构相变时消失，CDW 在约 -3.3\% 应变下消失。我们的结果表明，抑制密度波和增强 $J_\perp$ 是应变和压力驱动超导性的关键因素。因此，我们提出了若干候选基片，旨在实现更大的压缩应变，从而可能提高 $T_c$。