共价有机框架中的铁插层：一种面向半导体的有前景方法

Srimanta Pakhira; Kevin P. Lucht; Jose L. Mendoza-Cortes

共价有机框架中的铁插层：一种面向半导体的有前景方法

材料科学 2017-09-07 v2

作者: Srimanta Pakhira , Kevin P. Lucht , Jose L. Mendoza-Cortes

摘要

共价有机框架(COFs)是设计功能分子材料的引人入胜平台。本文提出基于范德华色散修正杂化密度泛函理论(DFT-D)的计算研究，设计硼氧环连接和三嗪连接的Fe插层COFs。保持原始COF(COF-Fe-0)的 $P-6m2$ 对称性，我们通过在两个有机层间插层Fe原子计算设计了七种新COFs。本文研究了原始和Fe插层COF材料的平衡结构与电子性质。我们预测COFs的电子性质可通过在结构中两有机层间添加Fe原子精细调节。计算表明这些新插层COFs是有前景的半导体。使用上述DFT-D方法也研究了Fe原子对电子能带结构和态密度(DOSs)的影响。Fe原子的 $d$ 亚层电子密度贡献在改善这些新材料的半导体性质中起重要作用。这些插层COFs提供了一种在刚性多孔网络内以高度可控和可预测方式创造半导体材料的新策略。

关键词

共价有机框架铁插层 DFT-D 电子结构半导体能带结构态密度

引用

@article{arxiv.1707.03277,
  title  = {Iron Intercalation in Covalent-Organic Frameworks: A Promising Approach for Semiconductors},
  author = {Srimanta Pakhira and Kevin P. Lucht and Jose L. Mendoza-Cortes},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1707.03277},
  year   = {2017}
}

备注

39 pages. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1703.02613

共价有机框架中的铁插层：一种面向半导体的有前景方法

摘要

关键词

引用

备注

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