范德华键合在层状氧化物中的作用:块体五氧化二钒
材料科学
2010-06-15 v1 软凝聚态物质
化学物理
摘要
稀疏物质的特点是存在低电子密度区域,对其理解需要能够精确计算范德华(vdW)相互作用和其他键合的方法。在此,我们展示了对层状氧化物(V2O5)块体结构的第一性原理密度泛函理论(DFT)研究,该结构在层间显示出电荷空洞,并强调了 vdW 力在构建材料内聚性中的作用。先前涉及 DFT 中交换关联泛函的半局域近似的第一性原理研究结果,在晶胞的两个面内晶格参数上与实验吻合良好,但高估了堆叠方向的参数。为了恢复第三个参数,我们通过 vdW-DF 方法 [Dion et al., Phys. Rev. Lett. 92, 246401 (2004)] 包含了非局域(色散)vdW 相互作用,并测试了不同的交换泛函形式。我们发现,可转移的第一性原理 vdW-DF 计算稳定了块体结构。vdW-DF 方法在所有三个晶格参数上都给出了与实验相当吻合的结果。
引用
@article{arxiv.1006.2494,
title = {Role of van der Waals bonding in layered oxide: Bulk vanadium pentoxide},
author = {Elisa Londero and Elsebeth Schroder},
journal= {arXiv preprint arXiv:1006.2494},
year = {2010}
}
备注
8 pages, 4 figures, 1 table