偏压双层石墨烯晶体管中亚阈值斜率的本征极限
介观与纳米尺度物理
2015-05-18 v1
摘要
在这项工作中，我们使用耦合的自洽泊松-能带结构求解器，研究了双栅极双层石墨烯晶体管中亚阈值斜率的本征极限。我们通过将求解器得到的偏压依赖带隙结果与已发表的实验数据进行匹配，对求解器进行了基准测试。我们表明，电子结构的本征偏压依赖性和自洽静电学将这种晶体管中获得的亚阈值斜率限制在远高于室温下 60mV/decade 的玻尔兹曼极限，但远低于迄今为止实验显示的结果，这表明双层石墨烯在技术改进方面仍有空间。
引用
@article{arxiv.1003.5284,
title = {Intrinsic Limits of Subthreshold Slope in Biased Bilayer Graphene Transistor},
author = {Kausik Majumdar and Kota V. R. M. Murali and Navakanta Bhat and Yu-Ming Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.5284},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 2 figures