横向异质结界面激子的谷间混合

我们证明了过渡金属二硫化物单层之间的扶手椅型横向异质结的低对称性允许 $\mathbf{K}_+$ 和 $\mathbf{K}_-$ 谷的混合。从紧束缚模型我们估计了典型异质对的谷耦合强度约为 $0.2\ \text{eV}\cdot\text{Å}$。我们证明谷混合导致了局域电子的面内 $g$ 因子，从而在面内磁场中产生自旋进动。我们进一步研究了谷混合对 II 型横向异质结处激子的精细结构和动力学的影响。我们发现谷混合与长程交换相互作用的耦合导致沿扶手椅异质结的激子光致发光的线偏振，在非偏振激发下偏振度可达 $1/3$。沿任意方向施加 10–100 mT 量级的面内磁场会导致光致发光的退偏振。