过渡金属二硫属化物公度与公度失调双层结构中的层间耦合

本文利用微扰处理研究了过渡金属二硫属化物公度与公度失调双层结构中的层间耦合。$\pm K$ 谷中的层间耦合可以分解为一系列具有不同相位因子的跃迁项。在 H 型和 R 型公度双层中，三个主要项之间的干涉导致层间耦合强度对平移具有敏感的依赖性。通过与 ab initio 结果拟合，发现主要跃迁项的大小约为数十 meV。还研究了价带 $\Gamma$ 谷和导带 $Q$ 谷中的层间耦合。所获得的数百 meV 的强耦合强度在过渡金属二硫属化物异质双层中介导超快层间电荷转移方面可以发挥重要作用。