异构层生长中的界面混合
统计力学
2009-11-10 v1
摘要
我们在分子束沉积模型中研究了在另一种基材料 A 上生长元素 B 薄膜的成长过程。垂直交换机制允许 A 原子以一定概率停留在生长表面上。通过动力学蒙特卡罗仿真和尺度论证，研究了 A 原子被纳入生长的 B 层中的过程。我们还发展了该过程的速率方程理论。在完美层层生长的极限下，A 原子在 B 薄膜中的浓度随着距离界面距离的平方反比衰减。该幂律在特征厚度的指数衰减处被截断，该特征厚度取决于 B 表面原子与 A 原子交换的速率以及系统尺寸。动力学粗糙化会改变临界指数。薄膜中扩散区的厚度由扩散长度决定。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0306073,
title = {Interfacial mixing in heteroepitaxial growth},
author = {Boris Bierwald and Michael von den Driesch and Zeno Farkas and Sang Bub Lee and Dietrich E. Wolf},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0306073},
year = {2009}
}
备注
11 pages, 11 figures