表面电场下自组装 InAs 量子点中载流子的红外透射光谱研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-16 v1
摘要
我们利用傅里叶变换红外（FTIR）透射光谱技术，在不施加外部磁场的情况下，研究了单层 InAs 自组装量子点（SAQDs）中电子和空穴的子能级间距。在分子束外延的超高真空条件下生长了外延、互补掺杂且半透明的静电栅极以实现对器件的电压调控，同时利用二维电子气（2DEG）作为背接触。结合光致发光光谱与 FTIR 光谱，间接计算了空穴子能级的间距。观测到的间距与电子和空穴的计算值吻合良好。此外，由于器件顶部的量子点层，2DEG 的子带间共振得到了增强。
引用
@article{arxiv.1409.5272,
title = {Infrared transmission spectroscopy of charge carriers in self-assembled InAs quantum dots under surface electric fields},
author = {Shovon Pal and Sascha R. Valentin and Nadezhda Kukharchyk and Hanond Nong and Alireza B. Parsa and Gunther Eggeler and Arne Ludwig and Nathan Jukam and Andreas D. Wieck},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.5272},
year = {2015}
}