强相关电子体系中的红外灾变与隧穿：扰动x射线边缘极限
强关联电子
2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
隧穿密度随能在低维和强相关电子体系中在费米能附近表现出异常特征（尖峰、代数抑制和准能隆）。我们认为，这些谱异常在许多情况下是由在隧穿事件中向系统突然引入新电子期间的屏蔽响应引起的红外灾变所致。引入一种非扰动函数积分方法来处理这一效应，利用开发用于x射线边缘奇异问题的方法。该形式对任意维度、有或无平移对称性的格点或连续模型均适用。对该技术的近似版本应用于1D电子气和2D霍尔流体，结果与实际情况相符。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504017,
title = {Infrared catastrophe and tunneling into strongly correlated electron systems: Perturbative x-ray edge limit},
author = {Kelly R. Patton and Michael R. Geller},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504017},
year = {2009}
}
备注
6 pages