低维与强关联导体中的隧穿
强关联电子
2008-09-17 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
发展了一种低能电子传播子的一般非微扰理论，并用于计算多种系统中的单粒子态密度。该方法通过 Hubbard-Stratonovich 变换解耦电子-电子相互作用，随后对剩余的泛函积分进行鞍点近似。发现最终表达式与 X 射线边缘问题中发生的红外灾变在隧穿情形下的类比；在此，宿主系统对隧穿事件中突然增加一个电子所产生的势作出响应。这种响应可导致费米能附近的隧穿态密度受到抑制。该方法适用于任意维度、有或无平移不变性的晶格或连续模型。应用该方法时，得到了 Tomonaga-Luttinger 模型的精确态密度，并恢复了分数量子霍尔流体的赝能隙。
引用
@article{arxiv.0706.2774,
title = {Tunneling into low-dimensional and strongly correlated conductors},
author = {Kelly R. Patton},
journal= {arXiv preprint arXiv:0706.2774},
year = {2008}
}
备注
Completely rewritten and updated