红外灾难与强相关电子系统中的隧穿：超越 X射线边缘极限

我们发展了一种非扰动方法来计算低维强相关电子系统中的电子传递子。该方法建立在我们之前利用 Hubbard-Stratonovich 变换将隧穿问题映射到 X射线边问题的基础上，后者描述了在隧穿过程中向导体中突然引入新电子所导致的红外灾难。本文中我们采用积类展开来包括关于该 X射线边极限的涨落。我们发现电子-电子相互作用在低能尺度的主要效应是对非相互作用格子函数乘以一个因子 exp(-S)，其中 S 可解释为描述新加入电子在时间上电荷分布的欧几里得作用。该电荷分布最初局限于局部，随后随着电子被容纳于宿主导体中而随时间展开；在这一松弛过程中，按照带有筛选相互作用的经典电场学积累作用。该理论适用于任意维度、是否具有平移对称性的格子或连续模型。在一维情况下，该方法正确预测具有短程相互作用且无无序的电子的幂律态密度（DOS），且当应用于可求解的 Tomonaga-Luttinger 模型时，能够得到精确的 DOS。