耀斑日冕环中产生硬 X 射线电子的湍流投掷角散射与扩散输运

来自 {\em RHESSI} 的最新观测表明，耀斑环日冕部分的非热电子数量可能超过解释同一耀斑环硬 X 射线辐射足点所需的电子数量。因此，此类源无法基于标准碰撞输运模型进行解释，在该模型中，电子沿环流动并通过与环境等离子体的碰撞损失能量；需要额外的物理过程来囚禁或散射高能电子。受此及其他表明高能电子被限制在源区日冕部分的观测启发，我们将快电子与低频磁场涨落的湍流投掷角散射视为一种囚禁机制，并将其建模为平行于平均磁场的空间扩散。一般而言，湍流散射会导致非热电子沿环的碰撞停止距离减小，从而导致日冕 HXR 源相对于足点增强。源尺寸 $L$ 随电子能量 $E$ 的变化变得弱于碰撞输运相关的二次方行为，$L(E)$ 的斜率直接取决于再次投掷角散射的平均自由程 $\lambda$。将模型预测与观测进行比较，我们发现对于 $\sim30$ keV 的电子，$\lambda \sim$$(10^8-10^9)$ cm，小于典型耀斑环的长度，且小于或相当于电子加速区的尺寸。