层状缺陷对铁电薄膜阻尼的影响
统计力学
2015-06-25 v1 材料科学
摘要
应用修正的伊辛模型在横向场中的格林函数技术，允许计算铁电薄膜中 elementary 激发的阻尼以及结构缺陷的相变温度。基于阻尼函数的解析表达式，我们对其随温度、薄膜厚度和相互作用强度的数值分析得出结果。结果表明，铁电薄膜中的缺陷层（包括含有杂质或空位的层以及含有错位的层）能够由于缺陷层中不同的交换相互作用，引起阻尼的显著增大。结果与不同厚度的薄膜铁电材料的实验数据良好一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508287,
title = {Influence of layer defects on the damping in ferroelectric thin films},
author = {J. M. Wesselinowa and T. Michael and S. Trimper and K. Zabrocki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508287},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 3 figures