铁电薄膜中缺陷层的影响
材料科学
2015-06-24 v1 统计力学
摘要
基于横向场中的修正Ising模型，我们证明了铁电薄膜中的缺陷层，例如含有杂质、空位或位错的层，能够根据缺陷层内交换相互作用的变化，引起极化的强烈增加或减少。Green函数技术使我们能够计算具有结构缺陷的材料的极化、激发能和临界温度。数值上，我们得到了极化作为温度、薄膜厚度和层间相互作用强度的函数。理论结果与不同铁电薄膜的实验数据合理吻合。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0411099,
title = {Impact of layer defects in ferroelectric thin films},
author = {J. M. Wesselinowa and S. Trimper and K. Zabrocki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411099},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 8 figures