界面势对Ge纳米结构中有效质量的影响
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1 材料科学
摘要
本工作阐明了界面势对电荷载流子有效质量的作用。我们发展了一种新的理论形式体系，使用与界面势大小相关的空间依赖有效质量。利用此形式体系，我们研究了通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和共溅射(溅射)形成的Ge量子点(QDs)。这些样品使我们能够分离出由界面势差异引起的重要后果。我们发现，对于更高的界面势，如PECVD QDs的情况，有效质量有更大的减小，这相对于溅射样品增加了限制能。我们通过将结果与分子束外延生长的Ge QDs比较，进一步理解了O界面态的作用。研究发现O态可抑制界面势的影响。根据我们的理论形式体系，我们确定了界面势影响有效质量的长度尺度。
引用
@article{arxiv.1502.03659,
title = {Influence of interface potential on the effective mass in Ge nanostructures},
author = {E. G. Barbagiovanni and S. Cosentino and D. J. Lockwood and R. N. Costa Filho and A. Terrasi and S. Mirabella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.03659},
year = {2015}
}