聚焦离子束损伤导致的光电器件诱导光学损耗
光学
2012-07-11 v1 材料科学
摘要
本文研究了镓聚焦离子束 (FIB) 对 III-V 族化合物造成的损伤。展示了由局部加热、离子注入和选择性溅射引起的潜在损伤。初步分析表明局部加热可忽略不计。研究表明镓注入发生在数十纳米厚的区域内。预计在 III-V 族化合物铣削过程中会发生镓积累以及选择性溅射。特别是对于 GaAs，这种效应会导致镓偏析和金属团簇的形成。利用 FIB 铣削制作了不同发射电流的微盘谐振器，以分析这些效应对器件的影响。结果表明，对于较高的发射电流（即较高的注入剂量），由于注入镓原子引起的光散射损耗，腔品质因子迅速下降。
引用
@article{arxiv.1207.2359,
title = {Induced Optical Losses in Optoelectronic Devices due to Focused Ion Beam Damages},
author = {Felipe Vallini and Luís Alberto Mijan Barea and Elohim Fonseca dos Reis and Antônio Augusto von Zuben and Newton Cesário Frateschi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.2359},
year = {2012}
}