硅基III族氮化物电注入微环用于纳米光子电路
应用物理
2019-04-16 v1
摘要
采用硅上III族氮化物的纳米光子电路仍缺乏一个关键组件：高效电注入。本文中，我们展示了一种在薄硅上III族氮化物蘑菇型微环中使用金属微桥接触的电注入方案，该方案与集成纳米光子电路兼容，旨在实现电注入激光。利用中央埋入式n接触绕过绝缘缓冲层，我们能够对微环进行底蚀，这对于在薄盘中维持垂直限制至关重要。我们展示了来自直径30至50 m此类微环的直接电流室温电致发光，在20 mA下输出功率密度为440 mW/cm。我们展示了迈向集成光子电路的第一步。
引用
@article{arxiv.1904.03101,
title = {III-nitride on silicon electrically injected microrings for nanophotonic circuits},
author = {Farsane Tabataba-Vakili and Stéphanie Rennesson and Benjamin Damilano and Eric Frayssinet and Jean-Yves Duboz and Fabrice Semond and Iannis Roland and Bruno Paulillo and Raffaele Colombelli and Moustafa El Kurdi and Xavier Checoury and Sébastien Sauvage and Laetitia Doyennette and Christelle Brimont and Thierry Guillet and Bruno Gayral and Philippe Boucaud},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.03101},
year = {2019}
}