慢弛豫中的巨大（但有限）时间尺度：超越简单老化

近年来进行的实验表明，多种材料的电导率存在慢弛豫和老化现象。在此，我们以多孔硅为例，展示了电导率弛豫和老化的实验与理论结果。实验观察到，即使在室温下，弛豫过程也能持续数小时的时间尺度，并且当施加强电场一段时间 $t_w$ 时，随后的弛豫依赖于 $t_w$。我们推导了一条理论曲线，并表明所有实验数据均以单一时间尺度作为拟合参数坍缩到该曲线上。发现该时间尺度在室温下为数千秒量级。所提出的通用理论并未针对多孔硅进行精细调节，因此我们相信该结果具有普适性，且所提出的方法应适用于许多其他表现出记忆效应和其他玻璃态效应的系统。