主体同位素质量对硅中 V 族施主超精细相互作用的影响
材料科学
2014-09-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
通过对同位素工程化 Si 单晶进行脉冲电子核双共振（ENDOR）光谱分析，揭示了主体同位素质量对硅中 V 族施主超精细相互作用的影响。每个超精细分裂的 P-31、As-75、Sb-121、Sb-123 和 Bi-209 ENDOR 谱线进一步分裂为多个分量，其相对强度准确地匹配了由于三种稳定同位素 Si-28、Si-29 和 Si-30 在四个最近邻位点上的随机占据而产生的九种可能平均 Si 质量的统计概率。对 P-31 施主的进一步研究表明，分辨出的 ENDOR 分量随体平均 Si 质量呈线性移动。
引用
@article{arxiv.1407.6792,
title = {Host isotope mass effects on the hyperfine interaction of group-V donors in silicon},
author = {T. Sekiguchi and A. M. Tyryshkin and S. Tojo and E. Abe and R. Mori and H. Riemann and N. V. Abrosimov and P. Becker and H. -J. Pohl and J. W. Ager and E. E. Haller and M. L. W. Thewalt and J. J. L. Morton and S. A. Lyon and K. M. Itoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.6792},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 table