一杆进洞：在Si(100)-2$\times$1中实现确定性单受主掺入的途径

Quinn Campbell; Andrew D. Baczewski; R. E. Butera; Shashank Misra

doi:10.1116/5.0075467

一杆进洞：在Si(100)-2$\times$1中实现确定性单受主掺入的途径

介观与纳米尺度物理 2022-03-24 v1 材料科学

作者: Quinn Campbell , Andrew D. Baczewski , R. E. Butera , Shashank Misra

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

随机掺入动力学可能成为使用原子精度技术的半导体制造工艺可扩展性的限制因素。虽然这些技术最近已从施主扩展到受主，但动力学对单受主掺入的影响程度尚待评估。我们开发并应用了一个原子模型，用于计算几种近期展示的前驱体分子的单受主掺入速率：乙硼烷（B $_2$ H $_6$ ）、三氯化硼（BCl $_3$ ）以及单体（AlCl $_3$ ）和二聚体（Al $_2$ Cl $_6$ ）形式的三氯化铝，以确定最有可能实现确定性掺入的受主前驱体和剂量条件。虽然所有三种前驱体都能实现单受主掺入，但我们预测乙硼烷不太可能实现确定性掺入，三氯化硼通过适度加热（50 $^{\circ}$ C）可以实现确定性掺入，而三氯化铝在室温下即可实现确定性掺入。我们得出结论，三氯化硼和三氯化铝都是用于原子精度单受主应用的有前景的前驱体，具有实现大规模单原子量子器件阵列可靠生产的潜力。

关键词

确定性单受主掺入 Si(100)-2x1 原子精度技术乙硼烷三氯化硼三氯化铝掺入动力学

引用

@article{arxiv.2108.10805,
  title  = {Hole in one: Pathways to deterministic single-acceptor incorporation in Si(100)-2$\times$1},
  author = {Quinn Campbell and Andrew D. Baczewski and R. E. Butera and Shashank Misra},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10805},
  year   = {2022}
}

备注

10 pages, 5 figures

一杆进洞：在Si(100)-2$\times$1中实现确定性单受主掺入的途径

摘要

关键词

引用

备注

相关论文