拓扑电子化合物磷灰石中的高阶拓扑晶体绝缘相与量子化棱电荷
材料科学
2020-11-04 v1
摘要
在高阶拓扑绝缘体中，体态与表面电子态均有能隙，而出现受空间对称性保护的无能隙棱态。本文通过第一性原理计算表明，镧磷灰石电子化合物是一种高阶拓扑晶体绝缘体。它是一维电子化合物，其中沿 轴的一维间隙空道支撑阴离子电子，且这些一维通道中的电子态可很好地由一维 Su-Schrieffer-Heeger 模型近似。当晶体被解理为六棱柱时，120 棱支撑无能隙棱态，其填充被量子化为 2/3。该填充的量子化源于拓扑起源。我们发现填充的量子化值取决于构成晶体的基本块。磷灰石由三角块构成，这对于在棱上给出非平庸分数电荷至关重要。
引用
@article{arxiv.2004.03785,
title = {Higher-Order Topological Crystalline Insulating Phase and Quantized Hinge Charge in Topological Electride Apatite},
author = {Motoaki Hirayama and Ryo Takahashi and Satoru Matsuishi and Hideo Hosono and Shuichi Murakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.03785},
year = {2020}
}
备注
13 pages, 11 figures