基于 IPMTJ 的 STT-MRAM 高速低功耗传感方案
新兴技术
2018-04-03 v3
摘要
采用界面各向异性型垂直 MTJ (IPMTJ) 的 STT-MRAM 是实现 STT-MRAM 低切换能耗设计的有力候选者。据我们所知，此前文献中尚未对采用 IPMTJ 结构的 STT-MRAM 的读取操作进行研究。我们研究了采用 IPMTJ 结构的 STT-MRAM 的读取操作。具体而言，NVSenseAmp 的读取操作成功实现：与先前工作相比，平均低功耗降低了 2.5 倍，平均高速提升了 13 倍。
引用
@article{arxiv.1803.07037,
title = {High Speed and Low Power Sensing Schemes for STT-MRAM with IPMTJs},
author = {Mesut Atasoyu and Mustafa Altun and Serdar Ozoguz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.07037},
year = {2018}
}