65nm 中用于 1T1R 阵列稳健感测的无参考斜率检测技术
新兴技术
2023-06-08 v1 硬件体系结构
摘要
自旋转移矩 RAM（STTRAM）是一项有前景的技术，但工艺偏差对感测提出了严峻挑战。为消除位间工艺偏差，我们提出一种无参考、破坏性的斜率检测技术，其利用 MTJ 从高态到低态的切换来检测存储状态。采用 65nm 工艺制造的 96kb 模拟 STTRAM 位的概念验证测试芯片表明，在 2.5K-5K 阵列@TMR=100% 下，斜率感测相较传统电压感测将失效率降低 120 倍，在 2.5K-5K@TMR=80% 阵列下降低 162 倍。
引用
@article{arxiv.2306.03972,
title = {A Reference-less Slope Detection Technique in 65nm for Robust Sensing of 1T1R Arrays},
author = {Seyedhamidreza Motaman and Swaroop Ghosh and Jae-Won Jang and Anirudh Iyengar and Rekha Govindaraj and Zakir Khondker},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.03972},
year = {2023}
}