高场下的钡钛酸导电性
材料科学
2009-08-21 v1
摘要
我们报告了对非常薄(约 77 nm)的钡钛酸单晶进行电压-电流研究,并在最高达 1.3 GV/m 的场强下进行测试。结果表明,在高场条件下,泄漏电流的机制是具备连续陷阱分布的空间电荷受限导电(SCLC),其符合 Rose 于 1955 年提出的原始模型 [Phys. Rev. 97, 1537]。本研究相较于早期对 BaTiO3 导电性的研究[ A. Branwood 等, Proc. Phys. Soc. London 79, 1161 (1962)]提升了约 5 倍的场强。我们还与陶瓷多层钡钛酸电容进行了比较,其显示出类似的 SCLC 行为。数据完全不兼容变量范围隧穿 [B. I. Shklovskii, Sov. Phys. Semicond. 6, 1964 (1973)],尽管近期有报道称该机制存在于 SrTiO3 薄膜中 [D. Fuchs 等, J. Phys. IV France 11, 71 (2001)]。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409585,
title = {High-Field Conduction in Barium Titanate},
author = {J. F. Scott and F. D. Morrison and P. Zubko and D. J. Jung and P. Baxter and M. M. Saad and J. M. Gregg and R. M. Bowman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409585},
year = {2009}
}