Bi$_2$Se$_3$表面的高场电荷输运
介观与纳米尺度物理
2014-09-17 v1
摘要
我们提出了对BiSe表面高场电荷输运的理论研究，并再现了近期实验结果的所有主要特征，即在高外加电场区域中的不完全电流饱和和有限剩余电导[Costache et al., Phys. Rev. Lett. 112, 086601 (2014)]。由于热电子效应，电导率降低，电流随外加电场的增加呈现饱和趋势。此外，电场可以通过带间进动激发表面带内的载流子，导致更高的电导率。作为热电子输运和载流子激发的联合效应，电导率在高场区域趋近于一个有限的剩余值，电流饱和变得不完全。因此，我们证明，与文献中的猜想相反，所观察到的输运现象可以在仅考虑表面输运的框架内得到定性理解。此外，如果引入一个对场不敏感的恒定体电导率，则可以在理论结果与实验数据之间获得良好的定量一致性。
引用
@article{arxiv.1406.6223,
title = {High-field charge transport on the surface of Bi$_2$Se$_3$},
author = {M. Q. Weng and M. W. Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.6223},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 1 figure